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- 2.5Gbps Φ80μm OTDR APD 芯片 - 雪崩光電二極管芯片（APD 芯片）是一種提供內置增益並放大光電流的有源器件。該產品的特點是頂部為陽極，背麵為陰極，頂部發光的有源麵積為 Φ80μm，便於光學組裝；具有高響應率、高倍增因子和低暗電流的特點。...
- 2.5Gbps Φ70μm 數字/模擬 PIN PD 芯片 - 2.5Gbps 光電二極管芯片采用 InGaAs/InP 平麵 PIN 結構和頂部發光數字/模擬光電二極管芯片，有源區尺寸為 Φ70μm。該芯片具有低暗電流、低電容、高響應率、較低的二階調製間失真...
- 2.5Gbps Φ70μm 數字/模擬 PIN PD 芯片 - 這款 2.5Gbps 光電二極管芯片采用 InGaAs/InP PIN 平麵結構和頂部發光數字/模擬光電二極管芯片，有源區尺寸為 Φ70μm。該芯片具有低暗電流、低電容、高響應度和出色的可靠性等特...
- 2.5Gbps Φ70μm 高響應度數字/模擬 PIN PD 芯片 - 這款 2.5Gbps 光電二極管芯片采用 InGaAs/InP PIN 平麵結構和頂部發光的高響應率數字/模擬光電二極管芯片，有源區尺寸為 Φ70μm。其特點是低暗電流、低電容、高響應率，...
- 3GHz Φ70μm 高響應度數字/模擬 PIN PD 芯片 - 該 3GHz 光電二極管芯片是 InGaAs/InP PIN 平麵結構、頂部發光的 3GHz 高響應率數字/模擬 PD 芯片，有源區尺寸為 Φ70μm。其特點是低暗電流、低電容、高響應率，從而獲...
- 6GHz Φ70μm 模擬 PIN PD 芯片 - 這款 6GHz 光電二極管芯片采用 InGaAs/InP PIN 介麵結構和頂部發光模擬 PD 芯片，有源區尺寸為 Φ70μm。該芯片具有低暗電流、低電容、高響應度和出色的可靠性等特點。可應用於 CATV 模...
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82211 Herrsching a. Ammersee, 德國
Hamamatsu Photonics Deutschland GmbH
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描述
光電二極管
技術資料
優質低價豐富包裝變體
應用領域
查看更多 用於工業設備，光學傳感器
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