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描述
三氟化氮在半導體製造和各種其他工業應用中起著關鍵作用。三氟化氮用於半導體製造中的等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）工藝。它有助於清潔和沉積對高性能電子元件至關重要的薄膜。在光刻過程中，三氟化氮作為氟化劑，有助於精確的圖案創建，這對微製造和芯片製造至關重要。
技術資料
分子量：71.002
沸點：-129.05在1.013巴[℃]/-200.29在14.5磅/平方英寸[℉]
密度：1.013巴、15℃時為3.015，[千克/立方米]/1大氣壓時為0.184，70℉，[磅/立方英尺]
在空氣中的可燃性範圍，[%體積]：不可燃
比容：1.013巴、15℃時為0.332，[m3/kg]/1大氣壓時為5.43，70℉，[ft3/lb]
應用領域
查看更多 1.三氟化氮用作矽加工中的高速選擇性蝕刻劑。它已被用於蝕刻矽、多晶矽、氮化矽和氧化矽以及難熔金屬和矽化物。
2.三氟化氮有時被用作HF/DF化學激光器中的氟源。三氟化氮用作氟化劑。三氟化氮也用於纖維處理。
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